平成26年度補正 『ものづくり・商業・サービス事業確信補助金」採択されました

2014-10-01
  ホール効果測定装置仕様書

・概要
 本装置は半導体の基礎物性を知るための必須技術であるホール効果測定装置であり、
 特に太陽電池やパワー半導体材料など、比較的高抵抗な試料に対しても適用可能な
 交流ホール測定装置である。

・性能・機能に関する要件
I.構成
1)計測ユニット
2)試料ホルダー
3)回転式磁石ユニット
4)適応試料範囲
5)制御プログラム


II.仕様
1)計測ユニット
測定方法:van viagrasansordonnancefr.com der Pauw法
試料印加電流:±100mA以内
試料印加電圧:±8V以内
最小電圧感度:最小測定レンジにて1μV(直流計測部) 
最小測定レンジにて10nV(交流計測部)
スイッチ回路アイソレーション:> 1GΩ
2)試料ホルダー
爪形プローブx4式を持つホルダー
適応試料サイズ:5mm角から15mm角、厚み0.3mmから1mmに対応できる
3)回転式磁石ユニット
最大5Hzの交流磁場を発生できる
発生磁場強度(最大値):4kOe以上
4)適応試料範囲
抵抗測定範囲:10-5Ω~109Ω
移動度測定範囲:10-1~106cm2/V/s
※計測対象の膜厚が1μm程度の場合
5)制御プログラム
GUIインターフェースを持ったプログラムでWindows OS上で動作する
試料設置後は自動計測可能である
物性値の算出およびデータ保存が可能である


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